Отдел лицензий и интеллектуальной собственности ОИЯИ сообщает, что 8 ноября 2018 года Объединенным институтом ядерных исследований был получен патент на изобретение «Планарный полупроводниковый детектор». Авторами работы являются Шелков Георгий Александрович, Кожевников Данила Александрович, Смолянский Петр Игоревич, Котов Сергей Анатольевич, Кручонок Владимир Геннадьевич, Жемчугов Алексей Сергеевич, Лейва Фабело Антонио.

Поздравляем авторов с получением патента на изобретение!

Подробнее об изобретении

Планарный полупроводниковый детектор предназначен для регистрации излучений в ядерной физике, физике высоких энергий, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы, гамма-кванты и рентгеновское излучение. На обеих сторонах детектора выполнены контактные электроды в виде металлизации. Металлизация лицевой (обращенной к источнику ионизирующего излучения) поверхности сформирована в виде сетки малой площади с шириной стрипа 3-10 мкм и с шагом в 30-100 мкм. Техническим результатом изобретения является увеличение эффективности регистрации ионизирующего излучения (в частности, мягкого рентгеновского) и улучшение измерения энергии тяжелых заряженных частиц (в частности, α-частиц) планарными детекторами на основе полупроводниковых материалов путем уменьшения поглощения ионизирующего излучения в материале лицевого электрода при несущественном изменении электрического поля внутри детектора.