ОИЯИ получил новый патент
Патенты, 25 октября 2018
Отдел лицензий и интеллектуальной собственности ОИЯИ сообщает, что 11 октября 2018 года Объединенным институтом ядерных исследований был получен патент на изобретение «Способ определения пространственных профилей ядерного и магнитного потенциалов взаимодействия поляризованных нейтронов со слоистой структурой». Авторами работы являются Никитенко Юрий Васильевич и Жакетов Владимир Дмитриевич.
Поздравляем авторов с получением патента на изобретение!
Подробнее об изобретении
Использование: для определения пространственных профилей ядерного и магнитного потенциалов взаимодействия поляризованных нейтронов со слоистой структурой. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют измерение в недеполяризующем нейтроны магнитном поле соответствующих четырем поляризационным состояниям нейтронов четырех интенсивностей пропускания нейтронов через магнитное поле и четырех интенсивностей отражения нейтронов от калибровочной структуры, при этом дополнительно измеряют в деполяризующем нейтроны магнитном поле четыре интенсивности пропускания поляризованных нейтронов через магнитное поле и четыре интенсивности отражения нейтронов от исследуемой структуры, из измеренных интенсивностей нейтронов в недеполяризующем и деполяризующем магнитных полях определяют соответствующие спиновым переходам нейтронов четыре коэффициента отражения нейтронов от исследуемой структуры в деполяризующем нейтроны магнитном поле, из коэффициентов отражения нейтронов определяют пространственные профили ядерного и магнитного потенциалов взаимодействия нейтронов со слоистой структурой в деполяризующем магнитном поле.
Технический результат: обеспечение возможности измерения в деполяризующем поляризованные нейтроны магнитном поле пространственных профилей ядерного и магнитного потенциалов взаимодействия поляризованных нейтронов со слоистой структурой.
Обращаем Ваше внимание
До публикации статьи о своей научно-технической разработке сотрудники ОИЯИ могут обратиться в Отдел лицензий и интеллектуальной собственности для оформления заявки на патент.
Адрес: площадка ЛЯП, корп. 113, 4-й эт., к. 408, 415
e-mail: grlan@jinr.ru
тел.: +7 (496) 216-58-62, 216-29-90.