Отдел лицензий и интеллектуальной собственности ОИЯИ сообщает, что 3 июля 2018 года Объединенным институтом ядерных исследований был получен патент на изобретение «Полупроводниковый пиксельный детектор заряженных сильно ионизирующих частиц (многозарядных ионов)». Авторами работы являются Шелков Георгий Александрович, Кожевников Данила Александрович, Смолянский Петр Игоревич, Демичев Михаил Андреевич, Котов Сергей Анатольевич, Кручонок Владимир Геннадьевич, Жемчугов Алексей Сергеевич, Абдельшакур Эль Саид Мохаммед Абу Эльазм.

Поздравляем авторов с получением патента на изобретение!

Подробнее об изобретении

Использование: для создания полупроводникового пиксельного детектора сильно ионизирующих заряженных частиц. Сущность изобретения заключается в том, что детектор включает последовательное соединение монолитного слоя высокоомного полупроводникового материала (сенсора) со сплошным внешним и пиксельным внутренним металлическими электродами и регистрирующей пиксельной микросхемы с коэффициентом усиления не менее 80 мВ/фКл, при этом из схемы детектора исключен источник напряжения смещения и добавлен резистор, который подключен к внешнему металлическому электроду сенсора и регистрирующей схеме.

Технический результат — обеспечение возможности упрощения конструкции детектора, снижения веса и энергопотребления такой аппаратуры, повышения надежности работы детектора и удобство его эксплуатации.