Мемориальный семинар Ван Ганчана
Семинары
В среду, 5 июня 2019 года, в Доме ученых ОИЯИ пройдет мемориальный семинар “Ван Ганчан: великий китайский ученый, стоявший у истоков ОИЯИ”, посвященный памяти блестящего китайского ученого, вице-директора ОИЯИ (1958–1960), академика АН КНР Ван Ганчана. Начало семинара в 14:30.
Ван Ганчан — выдающийся китайский ученый-исследователь, доктор философии, профессор, академик АН КНР. Вице-директор ОИЯИ (1958–1960). Является одним из основателей ОИЯИ.
Видный ученый в области физики элементарных частиц, термоядерного синтеза. Один из активных участников реализации атомной программы КНР, один из создателей китайскоко атомного оружия. Почетный доктор Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова. Лауреат Государственных премий КНР в области естественных наук и за успехи в науке, технологии. Соавтор сделанного учеными ОИЯИ открытия «Антисигма-минус-гиперон».
- 14:30 — 15:30
— Привественное слово директора ОИЯИ В. А. Матвеева
— Вань Ган, Директор CIAE, «Wang Ganchang: the great Chinese scientist at the origin of JINR»
— В. А. Никитин, главный научный сотрудник ЛФВЭ ОИЯИ, «Профессор Ван Ганчан — один из основателей ОИЯИ» - 15:30 — 15:45 — Перерыв на кофе
- 15:45 — 17:45
— Чэнь Дуньфэн, директор департамента ядерной физики, «Neutron facilities at China Advanced Research Reactor»
— Хань Вэньцзе, старший эксперт департамента ядерной физики, «High intensity laser and application at CIAE»
— Ли Сяомэй, старший эксперт департамента ядерной физики, «R&D and Applications of Advanced Gas Detectors»
— Линь Чэнцзян, старший эксперт департамента ядерной физики, «Fusion and Fission Studies at CIAE»
— А. С. Фомичев, начальник сектора ЛЯР ОИЯИ, «Research with radioactive ion beams at JINR»