New method for determining avalanche breakdown voltage of silicon photomultipliers
Seminars
Date and Time: Thursday, 9 March 2017, at 11:00 AM
Venue: Conference Hall, Dzhelepov Laboratory of Nuclear Problems
Seminar topic: «New method for determining avalanche breakdown voltage of silicon photomultipliers »
Speaker: I.E. Chirikov-Zorin
p class=”Attention”>Abstract:Рассмотрен лавинный пробой и гейгеровский режим работы кремниевого p-n перехода. Предложен прецизионный физически мотивированный метод определения напряжения лавинного пробоя кремниевых фотоумножителей (Si ФЭУ). Метод основан на измерении зависимости эффективности регистрации фотона PDE от напряжения смещения при инжекции в зону лавинного размножения p-n перехода одного типа носителей (электрона или дырки). Инжекция электрона или дырки из базовых областей полупроводниковой структуры Si ФЭУ осуществляется с помощью коротковолнового или длинноволнового света. При малых перенапряжениях (1-2 В) эффективность регистрации линейно зависит от напряжения смещения и поэтому экстраполяция PDE до нулевого значения определяет напряжения лавинного пробоя Si ФЭУ с точностью ~ 10-3 В.